三安光电低电阻SiC衬底突破，AIDC电源已批量交货
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三安光电低电阻SiC衬底突破，AIDC电源已批量交货
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三安光电旗下湖南三安宣布在低电阻碳化硅衬底上实现突破，平均电阻率稳定至11mΩ•cm，较传统量产的20mΩ•cm减半，同时保持层错、位错等指标达标。这项成果历时三年完成。 在应用层面，基于三安SiC MOSFET的800V/15kW服务器电源原型样机宽负载效率超过99.6%，支持自然对流散热，30kHz/10kW工况下器件温度可降低约50°C。三安称，其AIDC领域产品已向国内外头部服务器电源及数据中心基础设施企业批量交货，并与多家客户签署长协订单。
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最新进展11月1日 08:00
三安光电以低电阻SiC衬底与软开关拓扑突破AIDC电源效率天花板报道时间线
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11月1日
- 第一财经三安光电以低电阻SiC衬底与软开关拓扑突破AIDC电源效率天花板
三安光电旗下湖南三安在低电阻SiC衬底上实现突破，平均电阻率稳定至11mΩ•cm，较传统量产的20mΩ•cm减半，并保持层错、位错等指标达标。基于三安SiC MOSFET的800V/15kW原型样机宽负载效率超99.6%，支持自然对流散热，30kHz/10kW工况下器件温度可降低约50°C。
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