三安光电以低电阻SiC衬底与软开关拓扑突破AIDC电源效率天花板

三安光电旗下湖南三安在低电阻SiC衬底上实现突破，平均电阻率稳定至11mΩ•cm，较传统量产的20mΩ•cm减半，并保持层错、位错等指标达标。基于三安SiC MOSFET的800V/15kW原型样机宽负载效率超99.6%，支持自然对流散热，30kHz/10kW工况下器件温度可降低约50°C。