集邦:Q4一般型DRAM合约价环比涨10%至15%
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集邦:Q4一般型DRAM合约价环比涨10%至15%
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集邦咨询(TrendForce)最新数据显示,2026年第四季度一般型DRAM合约价环比增长10%至15%,计入HBM后整体涨幅约15%至20%,为本轮周期最低季度增速。此前二季度约涨80%、三季度约涨40%,涨幅逐季放缓,但DRAM市场仍处供应紧张、需求强劲的周期高位。 集邦称,原厂库存仅剩2至4周,先进产能持续向HBM和服务器DRAM倾斜,消费级DRAM供给空间被压缩。存储芯片在整机BOM中的占比已从10%至15%升至30%至40%,首次超过SoC成为最贵单一组件。
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最新进展10月28日 21:10
TrendForce:2026年Q4一般型DRAM合约价环比增长10%至15%报道时间线
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10月28日
- 199ITTrendForce:2026年Q4一般型DRAM合约价环比增长10%至15%
TrendForce数据显示,2026年第四季度一般型DRAM合约价季增10%至15%,计入HBM后整体涨幅约15%至20%,为本轮周期最低季度增速。原厂库存仅剩2至4周,先进产能持续向HBM和服务器DRAM倾斜,消费级DRAM供给空间被压缩。存储芯片在整机BOM中的占比已从10%至15%升至30%至40%,首次超过SoC成为最贵单一组件。
10月22日
- 199IT集邦咨询:2026年Q4 DRAM合约价预计环比上涨约20%
集邦咨询数据显示,2026年第四季度DRAM合约价预计环比再涨约20%,此前二季度约涨80%、三季度约40%,涨幅放缓但市场仍处供应紧张周期。AI推理对HBM和服务器DRAM需求强劲,原厂将先进产能优先分配给HBM和DDR5,挤压通用DRAM供给;封测龙头华天科技因掌握DDR5封装及TSV、2.5D、3D等先进封装能力当日涨停,韩国央行行长申铉松表示芯片价格没有下跌迹象,可能进一步上涨。
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